ON Semiconductor NSPM2052MUT5G TVS диод
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Одинарный
Максимальное напряжение фиксации
9V
Минимальное пробивное напряжение
5.1V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
UDFN
Максимальное обратное напряжение стабилизации
5V
Число контактов
3
Максимальный пиковый импульсный ток
120A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
1.68 x 1.08 x 0.5мм
Емкость
400пФ
Длина
1.68мм
Высота
0.5мм
Ширина
1.08мм
Рабочее напряжение
5V
Напряжение электрических разрядов
8кВ
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
100нА
Страна происхождения
Malaysia
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
8000
P.O.A.
8000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Одинарный
Максимальное напряжение фиксации
9V
Минимальное пробивное напряжение
5.1V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
UDFN
Максимальное обратное напряжение стабилизации
5V
Число контактов
3
Максимальный пиковый импульсный ток
120A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
1.68 x 1.08 x 0.5мм
Емкость
400пФ
Длина
1.68мм
Высота
0.5мм
Ширина
1.08мм
Рабочее напряжение
5V
Напряжение электрических разрядов
8кВ
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
100нА
Страна происхождения
Malaysia