Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiКонфигурация диода
Одинарный
Тип направления
Однонаправленный
Максимальное напряжение фиксации
10.5V
Минимальное пробивное напряжение
5.1V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
U-DFN1610
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности
1050W
Максимальный пиковый импульсный ток
100A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
1.6 x 1 x 0.5мм
Высота
0.5мм
Ширина
1мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
100нА
Емкость
380пФ
Длина
1.6мм
Информация о товаре
ESD Protectors, ON Semiconductor
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiКонфигурация диода
Одинарный
Тип направления
Однонаправленный
Максимальное напряжение фиксации
10.5V
Минимальное пробивное напряжение
5.1V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
U-DFN1610
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности
1050W
Максимальный пиковый импульсный ток
100A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
1.6 x 1 x 0.5мм
Высота
0.5мм
Ширина
1мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
100нА
Емкость
380пФ
Длина
1.6мм
Информация о товаре