ON Semiconductor NSPM2051MUT5G Антистатический защитный диод

Brand

Тип направления

Однонаправленный

Конфигурация диода

Одинарный

Максимальное напряжение фиксации

10.5V

Минимальное пробивное напряжение

5.1V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

U-DFN1610

Число контактов

2

Рассеяние пиковой импульсной мощности

1050W

Максимальный пиковый импульсный ток

100A

Защита от электрических разрядов

Да

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Размеры

1.6 x 1 x 0.5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.5мм

Ширина

1мм

Испытательный ток

1mA

Максимальный обратный ток утечки

100нА

Длина

1.6мм

Емкость

380пФ