Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Матрица
Максимальное напряжение фиксации
15V
Минимальное пробивное напряжение
3.2V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
UDFN
Число контактов
10
Максимальный пиковый импульсный ток
35A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
8
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
3.5 x 2 x 0.5мм
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Высота
0.5мм
Ширина
2мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
500нА
Рабочее напряжение
3V
Емкость
5пФ
Длина
3.5мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Матрица
Максимальное напряжение фиксации
15V
Минимальное пробивное напряжение
3.2V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
UDFN
Число контактов
10
Максимальный пиковый импульсный ток
35A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
8
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
3.5 x 2 x 0.5мм
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Высота
0.5мм
Ширина
2мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
500нА
Рабочее напряжение
3V
Емкость
5пФ
Длина
3.5мм