Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Матрица
Максимальное напряжение фиксации
15V
Минимальное пробивное напряжение
3.2V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
UDFN
Число контактов
8
Максимальный пиковый импульсный ток
35A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
4
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
2.2 x 2 x 0.5мм
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Высота
0.5мм
Ширина
2мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
500нА
Рабочее напряжение
3V
Емкость
5пФ
Длина
2.2мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Матрица
Максимальное напряжение фиксации
15V
Минимальное пробивное напряжение
3.2V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
UDFN
Число контактов
8
Максимальный пиковый импульсный ток
35A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
4
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
2.2 x 2 x 0.5мм
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Высота
0.5мм
Ширина
2мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
500нА
Рабочее напряжение
3V
Емкость
5пФ
Длина
2.2мм