onsemi NSBC114EDXV6T1G Dual NPN Digital Transistor, 100 mA, 50 V, 6-Pin SOT-563
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOT-563
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Двойной
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Типичный коэффициент резистора
1
Резистор база-эмиттер
10кОм
Размеры
1.7 x 1.3 x 0.6мм
Типичный входной резистор
10 кΩ
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
4000
P.O.A.
4000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOT-563
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Двойной
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Типичный коэффициент резистора
1
Резистор база-эмиттер
10кОм
Размеры
1.7 x 1.3 x 0.6мм
Типичный входной резистор
10 кΩ
Максимальная рабочая температура
+150 °C