Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
40 В пост. тока
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
1 МГц
Число контактов
3 + Tab
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.65мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
General Purpose NPN Transistors, Over 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
40 В пост. тока
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
1 МГц
Число контактов
3 + Tab
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.65мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
General Purpose NPN Transistors, Over 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.