onsemi NJD35N04G NPN Darlington Transistor, 4 A 350 V HFE:2000, 3-Pin DPAK

Код товара RS: 806-5046Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NJD35N04T4G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

350 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

2000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

2 В

Максимальное напряжение коллектор-база

700 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

250mA

Максимальное рассеяние мощности

45 Вт

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Высота

2.38мм

Ширина

7.49мм

Размеры

6.73 x 7.49 x 2.38мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.73мм

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi NJD35N04G NPN Darlington Transistor, 4 A 350 V HFE:2000, 3-Pin DPAK
Select packaging type

P.O.A.

onsemi NJD35N04G NPN Darlington Transistor, 4 A 350 V HFE:2000, 3-Pin DPAK
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
25 - 25P.O.A.
50 - 75P.O.A.
100 - 225P.O.A.
250 - 475P.O.A.
500+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

350 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

2000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

2 В

Максимальное напряжение коллектор-база

700 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

250mA

Максимальное рассеяние мощности

45 Вт

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Высота

2.38мм

Ширина

7.49мм

Размеры

6.73 x 7.49 x 2.38мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.73мм

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.