ON Semiconductor NJD35N04T4G Пара Дарлингтона

Brand

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

350 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

2000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

2 В

Максимальное напряжение коллектор-база

700 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

250mA

Высота

2.38мм

Ширина

7.49мм

Максимальное рассеяние мощности

45 Вт

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Размеры

6.73 x 7.49 x 2.38мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.73мм

Страна происхождения

Malaysia