Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiМаксимальная частота преобразования
750 кГц
Выходной ток
0,5 (излучатель) А, 1 (приемник) А
Метод управления
Ток
Время спада
50нс
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Время нарастания
80нс
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
16
Топология
Резонансный
Коэффициент заполнения
50%
Размеры
10 x 3.9 x 1.75мм
Тип контроллера ШИМ
Токовый режим
Длина
10мм
Ширина
3.9мм
Высота
1.75мм
Максимальное рабочее напряжение питания
20 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Philippines
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiМаксимальная частота преобразования
750 кГц
Выходной ток
0,5 (излучатель) А, 1 (приемник) А
Метод управления
Ток
Время спада
50нс
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Время нарастания
80нс
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
16
Топология
Резонансный
Коэффициент заполнения
50%
Размеры
10 x 3.9 x 1.75мм
Тип контроллера ШИМ
Токовый режим
Длина
10мм
Ширина
3.9мм
Высота
1.75мм
Максимальное рабочее напряжение питания
20 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Philippines