Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiМаксимальная частота преобразования
65 кГц
Выходное напряжение
14 В
Выходной ток
300 мА (источник), 500 мА (приемник)
Метод управления
Ток
Количество выходов
1
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Время спада
60нс
Время нарастания
70нс
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
7
Топология
Обратный ход
Коэффициент заполнения
85%
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Длина
5мм
Тип контроллера ШИМ
Токовый режим
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рабочее напряжение питания
28 В
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiМаксимальная частота преобразования
65 кГц
Выходное напряжение
14 В
Выходной ток
300 мА (источник), 500 мА (приемник)
Метод управления
Ток
Количество выходов
1
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Время спада
60нс
Время нарастания
70нс
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
7
Топология
Обратный ход
Коэффициент заполнения
85%
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Длина
5мм
Тип контроллера ШИМ
Токовый режим
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рабочее напряжение питания
28 В
Страна происхождения
China