Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiМаксимальная частота преобразования
325 кГц
Пусковой ток питания
3mA
Максимальный ток источника
140мкА
Максимальный втекающий ток
900мкА
Максимальный ток питания
4 mA
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
8
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Длина
5мм
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рабочее напряжение питания
16 В
Минимальное рабочее напряжение питания
-0,3 В
Информация о товаре
Integrated PoE-PD Interface Controller and DC-DC Converter, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
2 - 2 | P.O.A. |
4 - 8 | P.O.A. |
10 - 18 | P.O.A. |
20 - 38 | P.O.A. |
40+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiМаксимальная частота преобразования
325 кГц
Пусковой ток питания
3mA
Максимальный ток источника
140мкА
Максимальный втекающий ток
900мкА
Максимальный ток питания
4 mA
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
8
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Длина
5мм
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рабочее напряжение питания
16 В
Минимальное рабочее напряжение питания
-0,3 В
Информация о товаре