ON Semiconductor MUN5335DW1T1G Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN + PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
385 мВт
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN + PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
385 мВт
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China