ON Semiconductor MUN5111T1G Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
-50 V
Тип корпуса
SOT-323 (SC-70)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
310 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.2 x 1.35 x 0.9мм
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
-50 V
Тип корпуса
SOT-323 (SC-70)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
310 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.2 x 1.35 x 0.9мм
Страна происхождения
China