ON Semiconductor MUN5111T1G Транзистор

Код товара RS: 184-1029Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MUN5111T1G
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

100 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

-50 V

Тип корпуса

SOT-323 (SC-70)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

310 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

50 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

2.2 x 1.35 x 0.9мм

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor MUN5111T1G Транзистор

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor MUN5111T1G Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

100 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

-50 V

Тип корпуса

SOT-323 (SC-70)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

310 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

50 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

2.2 x 1.35 x 0.9мм

Страна происхождения

China