onsemi Digital Transistor, 300 V NPN 150 mA Surface, 3-Pin

Код товара RS: 186-7181Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MSD42WT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип продукции

Цифровой транзистор

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

300V

Тип монтажа

Поверхность

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

300V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

450mW

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

150mA

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

40

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

0.5V

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

6V

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

1.35 mm

Длина

2.4мм

Материал каски/сварочной маски

1мм

Стандарты/одобрения

Pb-Free, RoHS

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)

onsemi Digital Transistor, 300 V NPN 150 mA Surface, 3-Pin

P.O.A.

Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)

onsemi Digital Transistor, 300 V NPN 150 mA Surface, 3-Pin

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип продукции

Цифровой транзистор

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

300V

Тип монтажа

Поверхность

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

300V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

450mW

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

150mA

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

40

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

0.5V

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

6V

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

1.35 mm

Длина

2.4мм

Материал каски/сварочной маски

1мм

Стандарты/одобрения

Pb-Free, RoHS

Автомобильный стандарт

AEC-Q101