Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
Цифровой транзистор
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
300V
Тип монтажа
Поверхность
Конфигурация транзистора
Одиночный
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
300V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
450mW
Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
150mA
Полярность транзистора
NPN
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
40
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
0.5V
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
1.35 mm
Длина
2.4мм
Материал каски/сварочной маски
1мм
Стандарты/одобрения
Pb-Free, RoHS
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)
3000
P.O.A.
Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
Цифровой транзистор
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
300V
Тип монтажа
Поверхность
Конфигурация транзистора
Одиночный
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
300V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
450mW
Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
150mA
Полярность транзистора
NPN
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
40
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
0.5V
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
1.35 mm
Длина
2.4мм
Материал каски/сварочной маски
1мм
Стандарты/одобрения
Pb-Free, RoHS
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
