Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
300 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
400 В
Тип корпуса
TO-92
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
625 мВт
Максимальное напряжение коллектор-база
500 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
5.33 x 5.2 x 4.19мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,75 В
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
300 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
400 В
Тип корпуса
TO-92
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
625 мВт
Максимальное напряжение коллектор-база
500 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
5.33 x 5.2 x 4.19мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,75 В