ON Semiconductor MMBZ6V8ALT1G TVS диод

Код товара RS: 184-1011Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MMBZ6V8ALT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип направления

Однонаправленный

Конфигурация диода

Общий анод

Максимальное напряжение фиксации

9.6V

Минимальное пробивное напряжение

6.46V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Рассеяние пиковой импульсной мощности

24W

Максимальный пиковый импульсный ток

2.5A

Защита от электрических разрядов

Да

Количество элементов на ИС

2

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.01мм

Высота

1.01мм

Ширина

1.4мм

Испытательный ток

1mA

Максимальный обратный ток утечки

500нА

Рабочее напряжение

4.5V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Длина

3.04мм

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor MMBZ6V8ALT1G TVS диод

P.O.A.

ON Semiconductor MMBZ6V8ALT1G TVS диод
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип направления

Однонаправленный

Конфигурация диода

Общий анод

Максимальное напряжение фиксации

9.6V

Минимальное пробивное напряжение

6.46V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Рассеяние пиковой импульсной мощности

24W

Максимальный пиковый импульсный ток

2.5A

Защита от электрических разрядов

Да

Количество элементов на ИС

2

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.01мм

Высота

1.01мм

Ширина

1.4мм

Испытательный ток

1mA

Максимальный обратный ток утечки

500нА

Рабочее напряжение

4.5V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Длина

3.04мм

Страна происхождения

China