ON Semiconductor MMBZ6V8ALT1G TVS диод

Код товара RS: 184-1011Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MMBZ6V8ALT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Конфигурация диода

Общий анод

Тип продукции

TVS диод

Тип направления

Однонаправленный

Минимальное пробивное напряжение (Vbr)

6.46V

Тип монтажа

Поверхность

Корпус

SOT-23

Максимальное обратное напряжение стабилизации (Vwm)

4.5V

Число контактов

3

Рассеяние пиковой импульсной мощности (Pppm)

24W

Напряжение ограничения (VC)

9.6V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Испытательный ток (It)

1mA

Максимальный пиковый импульсный ток (Ippm)

2.5A

Защита от ЭСР

Да

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

150°C

Материал каски/сварочной маски

1.01мм

Длина

3.04мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

MMBZ A

Максимальный обратный ток утечки

500nA

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

China

Вас может заинтересовать

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor MMBZ6V8ALT1G TVS диод

P.O.A.

ON Semiconductor MMBZ6V8ALT1G TVS диод

Информация о наличии не успела загрузиться

Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Конфигурация диода

Общий анод

Тип продукции

TVS диод

Тип направления

Однонаправленный

Минимальное пробивное напряжение (Vbr)

6.46V

Тип монтажа

Поверхность

Корпус

SOT-23

Максимальное обратное напряжение стабилизации (Vwm)

4.5V

Число контактов

3

Рассеяние пиковой импульсной мощности (Pppm)

24W

Напряжение ограничения (VC)

9.6V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Испытательный ток (It)

1mA

Максимальный пиковый импульсный ток (Ippm)

2.5A

Защита от ЭСР

Да

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

150°C

Материал каски/сварочной маски

1.01мм

Длина

3.04мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

MMBZ A

Максимальный обратный ток утечки

500nA

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

China

Вас может заинтересовать