ON Semiconductor MMBZ33VALT1G TVS диод

Brand

Конфигурация диода

Общий анод

Тип продукции

TVS диод

Тип направления

Однонаправленный

Минимальное пробивное напряжение (Vbr)

31.35V

Тип монтажа

Поверхность

Корпус

SOT-23

Максимальное обратное напряжение стабилизации (Vwm)

26V

Число контактов

3

Рассеяние пиковой импульсной мощности (Pppm)

40W

Напряжение ограничения (VC)

46V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Испытательный ток (It)

1mA

Максимальный пиковый импульсный ток (Ippm)

0.87A

Защита от ЭСР

Да

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

150°C

Материал каски/сварочной маски

1.01мм

Длина

3.04мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

MMBZ A

Максимальный обратный ток утечки

50μA

Автомобильный стандарт

AEC-Q101