ON Semiconductor MMBZ27VCLT1G TVS диод

Код товара RS: 184-1008Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MMBZ27VCLT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип направления

Однонаправленный

Конфигурация диода

2 сдвоенных с общим катодом

Максимальное напряжение фиксации

38V

Минимальное пробивное напряжение

25.65V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Рассеяние пиковой импульсной мощности

40W

Максимальный пиковый импульсный ток

1A

Защита от электрических разрядов

Да

Количество элементов на ИС

2

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.01мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.01мм

Ширина

1.4мм

Испытательный ток

1mA

Максимальный обратный ток утечки

50нА

Рабочее напряжение

22V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Длина

3.04мм

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor MMBZ27VCLT1G TVS диод

P.O.A.

ON Semiconductor MMBZ27VCLT1G TVS диод
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип направления

Однонаправленный

Конфигурация диода

2 сдвоенных с общим катодом

Максимальное напряжение фиксации

38V

Минимальное пробивное напряжение

25.65V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Рассеяние пиковой импульсной мощности

40W

Максимальный пиковый импульсный ток

1A

Защита от электрических разрядов

Да

Количество элементов на ИС

2

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.01мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.01мм

Ширина

1.4мм

Испытательный ток

1mA

Максимальный обратный ток утечки

50нА

Рабочее напряжение

22V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Длина

3.04мм

Страна происхождения

China