ON Semiconductor MMBZ27VCLT1G TVS диод

Код товара RS: 184-1008Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MMBZ27VCLT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Конфигурация диода

2 сдвоенных с общим катодом

Тип продукции

TVS диод

Тип направления

Однонаправленный

Минимальное пробивное напряжение (Vbr)

25.65V

Тип монтажа

Поверхность

Корпус

SOT-23

Максимальное обратное напряжение стабилизации (Vwm)

22V

Число контактов

3

Рассеяние пиковой импульсной мощности (Pppm)

40W

Напряжение ограничения (VC)

38V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Испытательный ток (It)

1mA

Максимальный пиковый импульсный ток (Ippm)

1A

Защита от ЭСР

Да

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

150°C

Материал каски/сварочной маски

1.01мм

Длина

3.04мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

MMBZ C

Максимальный обратный ток утечки

50nA

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

China

Вас может заинтересовать

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor MMBZ27VCLT1G TVS диод

P.O.A.

ON Semiconductor MMBZ27VCLT1G TVS диод

Информация о наличии не успела загрузиться

Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Конфигурация диода

2 сдвоенных с общим катодом

Тип продукции

TVS диод

Тип направления

Однонаправленный

Минимальное пробивное напряжение (Vbr)

25.65V

Тип монтажа

Поверхность

Корпус

SOT-23

Максимальное обратное напряжение стабилизации (Vwm)

22V

Число контактов

3

Рассеяние пиковой импульсной мощности (Pppm)

40W

Напряжение ограничения (VC)

38V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Испытательный ток (It)

1mA

Максимальный пиковый импульсный ток (Ippm)

1A

Защита от ЭСР

Да

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

150°C

Материал каски/сварочной маски

1.01мм

Длина

3.04мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

MMBZ C

Максимальный обратный ток утечки

50nA

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

China

Вас может заинтересовать