onsemi MMBZ12VALT1G, Dual-Element Uni-Directional TVS Diode, 40W, 3-Pin SOT-23
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Общий анод
Максимальное напряжение фиксации
17V
Минимальное пробивное напряжение
12.6V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное обратное напряжение стабилизации
8.5V
Число контактов
3
Рассеяние пиковой импульсной мощности
40W
Максимальный пиковый импульсный ток
2.35A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
2
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Максимальный обратный ток утечки
200нА
Длина
3.04мм
Высота
1.01мм
Ширина
1.4мм
Испытательный ток
1mA
Информация о товаре
TVS Dual Common Anode Zeners, ON Semiconductor
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 100 - 100 | P.O.A. |
| 200 - 400 | P.O.A. |
| 500 - 900 | P.O.A. |
| 1000 - 2400 | P.O.A. |
| 2500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Общий анод
Максимальное напряжение фиксации
17V
Минимальное пробивное напряжение
12.6V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное обратное напряжение стабилизации
8.5V
Число контактов
3
Рассеяние пиковой импульсной мощности
40W
Максимальный пиковый импульсный ток
2.35A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
2
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Максимальный обратный ток утечки
200нА
Длина
3.04мм
Высота
1.01мм
Ширина
1.4мм
Испытательный ток
1mA
Информация о товаре