ON Semiconductor MMBZ12VALT1G TVS диод

Brand

Тип направления

Однонаправленный

Конфигурация диода

Общий анод

Максимальное напряжение фиксации

17V

Минимальное пробивное напряжение

12.6V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Максимальное обратное напряжение стабилизации

8.5V

Число контактов

3

Рассеяние пиковой импульсной мощности

40W

Максимальный пиковый импульсный ток

2.35A

Защита от электрических разрядов

Да

Количество элементов на ИС

2

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.01мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.01мм

Ширина

1.4мм

Испытательный ток

1mA

Максимальный обратный ток утечки

200нА

Длина

3.04мм

Страна происхождения

China