onsemi MMBTH10LT3G NPN Transistor, 500 mA, 25 V, 3-Pin SOT-23

Код товара RS: 781-4297PБренд: onsemiПарт-номер производителя: MMBTH10LT3G
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

25 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

225 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

60, 120

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

30 В пост. тока

Максимальное напряжение эмиттер-база

25 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

3.04 x 2.64 x 1.11мм

Информация о товаре

RF Bipolar Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi MMBTH10LT3G NPN Transistor, 500 mA, 25 V, 3-Pin SOT-23
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 50.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 50.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi MMBTH10LT3G NPN Transistor, 500 mA, 25 V, 3-Pin SOT-23

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 50.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 50.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

25 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

225 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

60, 120

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

30 В пост. тока

Максимальное напряжение эмиттер-база

25 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

3.04 x 2.64 x 1.11мм

Информация о товаре

RF Bipolar Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.