onsemi MMBTH10-4LT1G NPN Digital Transistor, 25 V, 3-Pin SOT-23

Код товара RS: 186-7176Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MMBTH10-4LT1G
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

25 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение эмиттер-база

3 V dc

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.01мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

P.O.A.

Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)

onsemi MMBTH10-4LT1G NPN Digital Transistor, 25 V, 3-Pin SOT-23

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)

onsemi MMBTH10-4LT1G NPN Digital Transistor, 25 V, 3-Pin SOT-23

Информация о наличии не успела загрузиться

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

25 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение эмиттер-база

3 V dc

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.01мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C