Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
-1,2 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-10 V
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
20000
Максимальное напряжение коллектор-база
-30 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-1,5 В
Максимальный запирающий ток коллектора
-0.0001mA
Максимальное рассеяние мощности
350 мВт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.92мм
Высота
0.93мм
Ширина
1.3мм
Размеры
2.92 x 1.3 x 0.93мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Darlington PNP Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
100 - 900 | P.O.A. |
1000 - 2900 | P.O.A. |
3000 - 5900 | P.O.A. |
6000 - 11900 | P.O.A. |
12000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
-1,2 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-10 V
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
20000
Максимальное напряжение коллектор-база
-30 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-1,5 В
Максимальный запирающий ток коллектора
-0.0001mA
Максимальное рассеяние мощности
350 мВт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.92мм
Высота
0.93мм
Ширина
1.3мм
Размеры
2.92 x 1.3 x 0.93мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Darlington PNP Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.