ON Semiconductor MMBTA13LT1G Пара Дарлингтона

Код товара RS: 781-4279Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MMBTA13LT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

300 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

2

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

5000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

30 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

100нА

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.04мм

Высота

1.01мм

Ширина

1.4мм

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.01мм

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor MMBTA13LT1G Пара Дарлингтона
Select packaging type

P.O.A.

ON Semiconductor MMBTA13LT1G Пара Дарлингтона
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
100 - 100P.O.A.
200 - 400P.O.A.
500 - 900P.O.A.
1000 - 1900P.O.A.
2000+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

300 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

2

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

5000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

30 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

100нА

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.04мм

Высота

1.01мм

Ширина

1.4мм

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.01мм

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.