ON Semiconductor MMBTA13 Пара Дарлингтона

Код товара RS: 166-1813Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MMBTA13
brand-logo
View all in Составные транзисторы Дарлингтона

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

1,2 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

5000

Максимальное напряжение коллектор-база

30 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.0001mA

Ширина

1.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Размеры

2.92 x 1.3 x 0.93мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.92мм

Высота

0.93мм

Информация о товаре

Darlington NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor MMBTA13 Пара Дарлингтона

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor MMBTA13 Пара Дарлингтона
Информация о наличии не успела загрузиться

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

1,2 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

5000

Максимальное напряжение коллектор-база

30 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.0001mA

Ширина

1.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Размеры

2.92 x 1.3 x 0.93мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.92мм

Высота

0.93мм

Информация о товаре

Darlington NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.