onsemi Digital Transistor, 80 V dc NPN Surface, 3-Pin

Код товара RS: 186-8565PБренд: onsemiПарт-номер производителя: MMBTA06WT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип продукции

Цифровой транзистор

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

80V

Тип монтажа

Поверхность

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

80V

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

100

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

4В пост. тока

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

460mW

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Длина

2.2мм

Материал каски/сварочной маски

1мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

MMBTA06W

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi Digital Transistor, 80 V dc NPN Surface, 3-Pin
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi Digital Transistor, 80 V dc NPN Surface, 3-Pin

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип продукции

Цифровой транзистор

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

80V

Тип монтажа

Поверхность

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

80V

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

100

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

4В пост. тока

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

460mW

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Длина

2.2мм

Материал каски/сварочной маски

1мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

MMBTA06W

Автомобильный стандарт

AEC-Q101