ON Semiconductor MMBT6427LT1G Пара Дарлингтона

Brand

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

40 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

12 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

2

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

10000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

2 В

Максимальное напряжение коллектор-база

40 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

50нА

Высота

1.01мм

Ширина

1.4мм

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.01мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.04мм

Страна происхождения

China