ON Semiconductor MMBT5551LT3G Транзистор

Код товара RS: 178-4694Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MMBT5551LT3G
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

600 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

160 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

225 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

80

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

180 В пост. тока

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

3.04 x 2.64 x 1.11мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor MMBT5551LT3G Транзистор

10000

Доступно в кратности 10000
10000P.O.A.
20000P.O.A.
30000P.O.A.
40000P.O.A.
50000P.O.A.
60000P.O.A.
70000P.O.A.
80000P.O.A.
90000P.O.A.
100000P.O.A.
110000P.O.A.
120000P.O.A.
130000P.O.A.
140000P.O.A.
150000P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor MMBT5551LT3G Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

10000

Доступно в кратности 10000
10000P.O.A.
20000P.O.A.
30000P.O.A.
40000P.O.A.
50000P.O.A.
60000P.O.A.
70000P.O.A.
80000P.O.A.
90000P.O.A.
100000P.O.A.
110000P.O.A.
120000P.O.A.
130000P.O.A.
140000P.O.A.
150000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

600 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

160 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

225 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

80

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

180 В пост. тока

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

3.04 x 2.64 x 1.11мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.