Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
50 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
300
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
4,5 В
Максимальная рабочая частота
20 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
Low Noise Bipolar Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
100 - 100 | P.O.A. |
200 - 400 | P.O.A. |
500 - 900 | P.O.A. |
1000 - 1900 | P.O.A. |
2000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
50 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
300
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
4,5 В
Максимальная рабочая частота
20 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре