Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
250
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
1 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Информация о товаре
Low Noise Bipolar Transistors, ON Semiconductor
тг 2 235,00
тг 22,35 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
100
тг 2 235,00
тг 22,35 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
100
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Лента |
|---|---|---|
| 100 - 100 | тг 22,35 | тг 2 235,00 |
| 200 - 400 | тг 22,35 | тг 2 235,00 |
| 500 - 900 | тг 22,35 | тг 2 235,00 |
| 1000 - 1900 | тг 17,88 | тг 1 788,00 |
| 2000+ | тг 13,41 | тг 1 341,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
250
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
1 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Информация о товаре
