ON Semiconductor MMBT2369ALT1G Транзистор

Brand

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

200 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

15 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

225 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

40

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

40 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

4,5 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.01мм

Страна происхождения

China