Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
24 to 60mA
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Емкость исток-затвор
5пФ
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Высота
1.01мм
Ширина
1.4мм
Информация о товаре
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 1 475,10
тг 147,51 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 1 475,10
тг 147,51 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
10 - 90 | тг 147,51 | тг 1 475,10 |
100 - 240 | тг 102,81 | тг 1 028,10 |
250 - 490 | тг 98,34 | тг 983,40 |
500 - 990 | тг 98,34 | тг 983,40 |
1000+ | тг 75,99 | тг 759,90 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
24 to 60mA
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Емкость исток-затвор
5пФ
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Высота
1.01мм
Ширина
1.4мм
Информация о товаре
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.