Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
24 to 60mA
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
+25 В
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.94мм
Высота
0.94мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Ширина
1.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
5
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
24 to 60mA
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
+25 В
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.94мм
Высота
0.94мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Ширина
1.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.