onsemi MMBFJ309LT1G N-Channel JFET, 25 V, Idss 12 to 30mA, 3-Pin SOT-23

Код товара RS: 773-7819Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MMBFJ309LT1G
brand-logo
Просмотреть все в ПТУП

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

12 to 30mA

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Конфигурация

Одиночный

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Емкость исток-затвор

5пФ

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.01мм

Ширина

1.4мм

Высота

1.01мм

Длина

3.04мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

тг 1 653,90

тг 165,39 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

onsemi MMBFJ309LT1G N-Channel JFET, 25 V, Idss 12 to 30mA, 3-Pin SOT-23
Select packaging type

тг 1 653,90

тг 165,39 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

onsemi MMBFJ309LT1G N-Channel JFET, 25 V, Idss 12 to 30mA, 3-Pin SOT-23

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 90тг 165,39тг 1 653,90
100 - 240тг 107,28тг 1 072,80
250 - 490тг 107,28тг 1 072,80
500 - 990тг 102,81тг 1 028,10
1000+тг 80,46тг 804,60

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

12 to 30mA

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Конфигурация

Одиночный

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Емкость исток-затвор

5пФ

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.01мм

Ширина

1.4мм

Высота

1.01мм

Длина

3.04мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.