Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
12 to 30mA
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Конфигурация
Одиночный
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Емкость исток-затвор
5пФ
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Высота
1.01мм
Ширина
1.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
12 to 30mA
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Конфигурация
Одиночный
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Емкость исток-затвор
5пФ
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Высота
1.01мм
Ширина
1.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.