ON Semiconductor MMBFJ309LT1G JFET

Код товара RS: 163-0964Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MMBFJ309LT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

12 to 30mA

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Конфигурация

Одиночный

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Емкость исток-затвор

5пФ

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.01мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.04мм

Высота

1.01мм

Ширина

1.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor MMBFJ309LT1G JFET

P.O.A.

ON Semiconductor MMBFJ309LT1G JFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

12 to 30mA

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Конфигурация

Одиночный

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Емкость исток-затвор

5пФ

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.01мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.04мм

Высота

1.01мм

Ширина

1.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.