onsemi MMBFJ270 P-Channel JFET, 15 V, Idss -2 to -15mA, 3-Pin SOT-23

Код товара RS: 806-4318PБренд: onsemiПарт-номер производителя: MMBFJ270
brand-logo
Просмотреть все в ПТУП

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Запирающий ток сток-исток Idss

-2 to -15mA

Максимальное напряжение сток-исток

15 В

Максимальное напряжение затвор-исток

+30 В

Максимальное напряжение сток-затвор

-30V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Размеры

2.9 x 1.3 x 1.04мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Высота

1.04мм

Ширина

1.3мм

Информация о товаре

P-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi MMBFJ270 P-Channel JFET, 15 V, Idss -2 to -15mA, 3-Pin SOT-23
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi MMBFJ270 P-Channel JFET, 15 V, Idss -2 to -15mA, 3-Pin SOT-23

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Запирающий ток сток-исток Idss

-2 to -15mA

Максимальное напряжение сток-исток

15 В

Максимальное напряжение затвор-исток

+30 В

Максимальное напряжение сток-затвор

-30V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Размеры

2.9 x 1.3 x 1.04мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Высота

1.04мм

Ширина

1.3мм

Информация о товаре

P-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.