Transistor JFET N-Channel SOT23

Код товара RS: 761-3688PБренд: onsemiПарт-номер производителя: MMBFJ201
brand-logo
Просмотреть все в ПТУП

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип продукции

JFET (Полевой транзистор с обратным затвором)

Подтип

JFET (Полевой транзистор с обратным затвором)

Тип канала

Тип N

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

30V

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхность

Корпус

SOT-23

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

225mW

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

-40 V

Число контактов

3

Минимальная рабочая температура

-55°C

Ток между истоком и стоком (Ids)

0.3 to 1.5 mA

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

1.3 mm

Материал каски/сварочной маски

0.93мм

Длина

2.92мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Просмотреть все в ПТУП

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Transistor JFET N-Channel SOT23
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Transistor JFET N-Channel SOT23

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип продукции

JFET (Полевой транзистор с обратным затвором)

Подтип

JFET (Полевой транзистор с обратным затвором)

Тип канала

Тип N

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

30V

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхность

Корпус

SOT-23

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

225mW

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

-40 V

Число контактов

3

Минимальная рабочая температура

-55°C

Ток между истоком и стоком (Ids)

0.3 to 1.5 mA

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

1.3 mm

Материал каски/сварочной маски

0.93мм

Длина

2.92мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.