ON Semiconductor MMBFJ175LT1G JFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Запирающий ток сток-исток Idss
-7 to -60mA
Максимальное напряжение сток-исток
15 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-25V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
125 Ω
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
11пФ
Емкость исток-затвор
11пФ
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Высота
1.01мм
Ширина
1.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Информация о товаре
P-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Запирающий ток сток-исток Idss
-7 to -60mA
Максимальное напряжение сток-исток
15 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-25V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
125 Ω
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
11пФ
Емкость исток-затвор
11пФ
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Высота
1.01мм
Ширина
1.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Информация о товаре
P-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.