Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
JFET (Полевой транзистор с обратным затвором)
Подтип
N-канальный переключатель
Тип канала
Тип N
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
SOT-23
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
350mW
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
100Ом
Число контактов
3
Ток между истоком и стоком (Ids)
2 mA
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
2.92мм
Материал каски/сварочной маски
0.93мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 3 129,00
тг 125,16 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 3 129,00
тг 125,16 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
25
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 25 - 225 | тг 125,16 | тг 3 129,00 |
| 250 - 725 | тг 58,11 | тг 1 452,75 |
| 750 - 1475 | тг 58,11 | тг 1 452,75 |
| 1500 - 2975 | тг 44,70 | тг 1 117,50 |
| 3000+ | тг 35,76 | тг 894,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
JFET (Полевой транзистор с обратным затвором)
Подтип
N-канальный переключатель
Тип канала
Тип N
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
SOT-23
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
350mW
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
100Ом
Число контактов
3
Ток между истоком и стоком (Ids)
2 mA
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
2.92мм
Материал каски/сварочной маски
0.93мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
