ON Semiconductor MMBFJ113 JFET

Код товара RS: 166-1831Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MMBFJ113
brand-logo
Просмотреть все в ПТУП

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Подтип

N-канальный переключатель

Тип канала

Тип N

Тип продукции

JFET (Полевой транзистор с обратным затвором)

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхность

Корпус

SOT-23

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

350mW

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

-35 V

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

100Ом

Число контактов

3

Ток между истоком и стоком (Ids)

2 mA

Максимальная рабочая температура

150°C

Стандарты/одобрения

Нет

Длина

2.92мм

Ширина

1.3 mm

Материал каски/сварочной маски

0.93мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Просмотреть все в ПТУП

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor MMBFJ113 JFET

1

Доступно в кратности 3000
1P.O.A.
3001P.O.A.
6001P.O.A.
9001P.O.A.
12001P.O.A.
15001P.O.A.
18001P.O.A.
21001P.O.A.
24001P.O.A.
27001P.O.A.
30001P.O.A.
33001P.O.A.
36001P.O.A.
39001P.O.A.
42001P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor MMBFJ113 JFET

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 3000
1P.O.A.
3001P.O.A.
6001P.O.A.
9001P.O.A.
12001P.O.A.
15001P.O.A.
18001P.O.A.
21001P.O.A.
24001P.O.A.
27001P.O.A.
30001P.O.A.
33001P.O.A.
36001P.O.A.
39001P.O.A.
42001P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Подтип

N-канальный переключатель

Тип канала

Тип N

Тип продукции

JFET (Полевой транзистор с обратным затвором)

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхность

Корпус

SOT-23

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

350mW

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

-35 V

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

100Ом

Число контактов

3

Ток между истоком и стоком (Ids)

2 mA

Максимальная рабочая температура

150°C

Стандарты/одобрения

Нет

Длина

2.92мм

Ширина

1.3 mm

Материал каски/сварочной маски

0.93мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.