Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
min. 2mA
Максимальное напряжение затвор-исток
-35 В
Максимальное напряжение сток-затвор
35V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
100 Ω
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
28пФ
Емкость исток-затвор
28пФ
Размеры
2.92 x 1.3 x 0.93мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.92мм
Высота
0.93мм
Ширина
1.3мм
Информация о товаре
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
тг 3 129,00
тг 125,16 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 3 129,00
тг 125,16 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 25 - 225 | тг 125,16 | тг 3 129,00 |
| 250 - 725 | тг 58,11 | тг 1 452,75 |
| 750 - 1475 | тг 58,11 | тг 1 452,75 |
| 1500 - 2975 | тг 44,70 | тг 1 117,50 |
| 3000+ | тг 35,76 | тг 894,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
min. 2mA
Максимальное напряжение затвор-исток
-35 В
Максимальное напряжение сток-затвор
35V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
100 Ω
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
28пФ
Емкость исток-затвор
28пФ
Размеры
2.92 x 1.3 x 0.93мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.92мм
Высота
0.93мм
Ширина
1.3мм
Информация о товаре
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
