ON Semiconductor MMBFJ113 JFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
min. 2mA
Максимальное напряжение затвор-исток
-35 В
Максимальное напряжение сток-затвор
35V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
100 Ω
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
28пФ
Емкость исток-затвор
28пФ
Размеры
2.92 x 1.3 x 0.93мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.92мм
Высота
0.93мм
Ширина
1.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
min. 2mA
Максимальное напряжение затвор-исток
-35 В
Максимальное напряжение сток-затвор
35V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
100 Ω
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
28пФ
Емкость исток-затвор
28пФ
Размеры
2.92 x 1.3 x 0.93мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.92мм
Высота
0.93мм
Ширина
1.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.