Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
JFET (Полевой транзистор с обратным затвором)
Подтип
N-канальный переключатель
Тип канала
Тип N
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
SOT-23
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
50Ом
Число контактов
3
Ток между истоком и стоком (Ids)
5 mA
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
350mW
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
-35 V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
1.3 mm
Длина
2.92мм
Материал каски/сварочной маски
0.93мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
25
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
25
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
JFET (Полевой транзистор с обратным затвором)
Подтип
N-канальный переключатель
Тип канала
Тип N
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
SOT-23
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
50Ом
Число контактов
3
Ток между истоком и стоком (Ids)
5 mA
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
350mW
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
-35 V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
1.3 mm
Длина
2.92мм
Материал каски/сварочной маски
0.93мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
