Transistor JFET N-Channel SOT23

Код товара RS: 761-3684PБренд: onsemiПарт-номер производителя: MMBFJ112
brand-logo
Просмотреть все в ПТУП

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

min. 5mA

Максимальное напряжение затвор-исток

-35 В

Максимальное напряжение сток-затвор

35V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Максимальное сопротивление сток-исток

50 Ω

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Емкость сток-затвор

28пФ

Емкость исток-затвор

28пФ

Размеры

2.92 x 1.3 x 0.93мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.92мм

Высота

0.93мм

Ширина

1.3мм

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Transistor JFET N-Channel SOT23
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

P.O.A.

Transistor JFET N-Channel SOT23
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

min. 5mA

Максимальное напряжение затвор-исток

-35 В

Максимальное напряжение сток-затвор

35V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Максимальное сопротивление сток-исток

50 Ω

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Емкость сток-затвор

28пФ

Емкость исток-затвор

28пФ

Размеры

2.92 x 1.3 x 0.93мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.92мм

Высота

0.93мм

Ширина

1.3мм

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.