Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
JFET (Полевой транзистор с обратным затвором)
Подтип
N-канальный переключатель
Тип канала
Тип N
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
15V
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
SOT-23
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
350mW
Число контактов
3
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
30Ом
Ток между истоком и стоком (Ids)
20 mA
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
-35 V
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
1.04мм
Длина
2.9мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
1.3 mm
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 4 246,50
тг 84,93 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 4 246,50
тг 84,93 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
50
| Количество | Цена единицы | Per Лента |
|---|---|---|
| 50 - 200 | тг 84,93 | тг 4 246,50 |
| 250 - 450 | тг 58,11 | тг 2 905,50 |
| 500 - 2450 | тг 49,17 | тг 2 458,50 |
| 2500 - 4950 | тг 40,23 | тг 2 011,50 |
| 5000+ | тг 35,76 | тг 1 788,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
JFET (Полевой транзистор с обратным затвором)
Подтип
N-канальный переключатель
Тип канала
Тип N
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
15V
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
SOT-23
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
350mW
Число контактов
3
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
30Ом
Ток между истоком и стоком (Ids)
20 mA
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
-35 V
Максимальная рабочая температура
150°C
Материал каски/сварочной маски
1.04мм
Длина
2.9мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
1.3 mm
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
