Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
20mA
Максимальное напряжение сток-исток
15 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-35 В
Максимальное напряжение сток-затвор
35V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
30 Ω
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
28пФ
Емкость исток-затвор
28пФ
Размеры
2.9 x 1.3 x 1.04мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Высота
1.04мм
Ширина
1.3мм
Информация о товаре
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 84,93
Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 84,93
Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Лента |
---|---|---|
50 - 200 | тг 84,93 | тг 4 246,50 |
250 - 450 | тг 58,11 | тг 2 905,50 |
500 - 2450 | тг 49,17 | тг 2 458,50 |
2500 - 4950 | тг 40,23 | тг 2 011,50 |
5000+ | тг 35,76 | тг 1 788,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
20mA
Максимальное напряжение сток-исток
15 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-35 В
Максимальное напряжение сток-затвор
35V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
30 Ω
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
28пФ
Емкость исток-затвор
28пФ
Размеры
2.9 x 1.3 x 1.04мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Высота
1.04мм
Ширина
1.3мм
Информация о товаре
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.