Transistor, Fairchild, MMBF5103

Код товара RS: 806-4282PБренд: onsemiПарт-номер производителя: MMBF5103
brand-logo
View all in ПТУП

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

10 to 40mA

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-40 В

Максимальное напряжение сток-затвор

40V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Размеры

2.9 x 1.3 x 1.04мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Высота

1.04мм

Ширина

1.3мм

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Transistor, Fairchild, MMBF5103
Select packaging type

P.O.A.

Transistor, Fairchild, MMBF5103
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

10 to 40mA

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-40 В

Максимальное напряжение сток-затвор

40V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Размеры

2.9 x 1.3 x 1.04мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Высота

1.04мм

Ширина

1.3мм

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.