JFET,n-channel,30V,30mA,SOT23

Код товара RS: 864-7846PБренд: onsemiПарт-номер производителя: MMBF4393LT1G
brand-logo
Просмотреть все в ПТУП

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

5 to 30mA

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Максимальное напряжение затвор-исток

+30 В

Максимальное напряжение сток-затвор

30V

Конфигурация

Одиночный

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное сопротивление сток-исток

100 Ω

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Емкость сток-затвор

14пФ

Емкость исток-затвор

14пФ

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.04мм

Высота

1.01мм

Ширина

1.4мм

Информация о товаре

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

JFET,n-channel,30V,30mA,SOT23
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 50.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 50.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

P.O.A.

JFET,n-channel,30V,30mA,SOT23
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 50.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 50.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

5 to 30mA

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Максимальное напряжение затвор-исток

+30 В

Максимальное напряжение сток-затвор

30V

Конфигурация

Одиночный

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное сопротивление сток-исток

100 Ω

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Емкость сток-затвор

14пФ

Емкость исток-затвор

14пФ

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.04мм

Высота

1.01мм

Ширина

1.4мм

Информация о товаре

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.