Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
50 to 150mA
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Максимальное напряжение затвор-исток
+30 В
Максимальное напряжение сток-затвор
30V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
30 Ω
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.94мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Высота
0.94мм
Ширина
1.3мм
Информация о товаре
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
тг 759,90
тг 151,98 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 759,90
тг 151,98 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 151,98 | тг 759,90 |
| 25 - 45 | тг 102,81 | тг 514,05 |
| 50 - 95 | тг 102,81 | тг 514,05 |
| 100 - 195 | тг 58,11 | тг 290,55 |
| 200+ | тг 58,11 | тг 290,55 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
50 to 150mA
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Максимальное напряжение затвор-исток
+30 В
Максимальное напряжение сток-затвор
30V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
30 Ω
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.94мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Высота
0.94мм
Ширина
1.3мм
Информация о товаре
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
